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국내 최대 반도체 전시회 'SEDEX'
HBF·zHBM 등 차세대 구상 공개
中 연내 공개한다는 4F²도 개발중
삼성전자와 SK하이닉스가 인공지능(AI) 연산 병목을 해결할 차세대 메모리 구상과 시제품을 14일 공개했다.
양사는 이날 서울 강남구 코엑스에서 열리는 반도체대전(SEDEX)에 참가해 차세대 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 다양한 AI 인프라용 메모리를 공개했다.SEDEX는 한국반도체산업협회가 주관하는 국내 최대 반도체 전문 전시회로,올해 행사에는 300여 업체가 참가했다.
이날 기조연설자로 나선 안현 SK하이닉스 개발총괄사장(CDO)은 고대역폭플래시(HBF),웹게임 추천 디시3차원 적층 D램 같은 차세대 메모리를 개발해 AI 인프라 전반의 성능과 효율을 높여야 한다고 강조했다.안 사장은 "AI 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해보다 약 20배까지 커질 것"이라며 폭증하는 연산 수요를 감당할 차세대 메모리가 필요하다고 언급했다.
안 사장은 HBM 밑단의 베이스다이 설계를 AI 칩에 맞춰 최적화하는 '커스텀 HBM',AI 칩 위에 D램을 적층해 물리적 거리를 좁히는 '3D 적층 D램' 등을 소개했다.대량의 데이터를 AI 칩 인근에 저장하는 HBF로 시스템 전반의 성능과 에너지 효율을 높일 수 있을 거라 기대한다고도 설명했다.추론 과정에선 낸드의 손상으로 이어질 수 있는 데이터 쓰기보다는 데이터 읽기 작업이 빈번하기에,온라인 슬롯사이트 추천 승부벳 놀검소HBF가 AI의 데이터 처리 특성과 적합하다는 게 안 사장 이야기다.
삼성전자는 HBM을 수평으로 AI 칩 옆에 놓는 기존 방식과 달리 수직으로 쌓아올려 데이터가 이동하는 거리를 좁히는 3D 메모리인 zHBM 모형을 포함해 차세대 HBM4E,윈조이 포커 현금화메모리 내부에 연산 기능을 통합한 저전력 D램 등을 전시했다.파운드리(반도체 위탁생산) 4나노 공정을 적용한 HBM4E용 베이스다이를 비롯해,전기신호를 광신호로 변환해 데이터를 전송하는 공동 패키지 광학(CPO) 기반의 연결 부품 모형도 선보였다.
삼성전자는 부스 내에 '반도체 클러스터존'을 따로 만들어 용인 국가산업단지 조성 계획을 소개했다.삼성전자는 2029년 10월 첫 가동을 목표로 용인 국가산단에 약 360조 원을 투자할 계획이다.
삼성전자와 SK하이닉스 모두 중국 최대 메모리 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 출시할 제품에 적용하기로 한 기술 '4F스퀘어(4F²)' 개발을 진행하고 있다.송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 이날 현장에서 "삼성전자도 4F²를 개발하고 있나"란 질문에 "그렇다"고 답했다.
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